导通电阻(RDS(on)):3.2mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):130nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):255W,连续漏极电流(Id):214A,阈值电压(Vgs(th)):4V@1.0mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
耗散功率(Pd) | 255W | |
连续漏极电流(Id) | 214A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.0mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥9.51/个 |
10+ | ¥9.26/个 |
50+ | ¥9.1/个 |
100+ | ¥8.94/个 |
102+ | ¥8.94/个 |
104+ | ¥8.94/个 |
整盘
单价
整盘单价¥9.01
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