导通电阻(RDS(on)):0.39Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):11.1A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@0.45mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.39Ω@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | - | |
连续漏极电流(Id) | 11.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.45mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.841/个 |
10+ | ¥3.931/个 |
50+ | ¥3.278/个 |
100+ | ¥3.0636/个 |
500+ | ¥2.967/个 |
1000+ | ¥2.923/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.278
50 PCS/盘