反向传输电容(Crss):68pF,导通电阻(RDS(on)):170mΩ@2.5V,2A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.3nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):850pF,输出电容(Coss):105pF,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@2.5V,2A | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.241/个 |
| 200+ | ¥0.193/个 |
| 600+ | ¥0.166/个 |
| 3000+ | ¥0.128/个 |
| 9000+ | ¥0.114/个 |
| 21000+ | ¥0.107/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11776
3000 PCS/盘
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