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DMC2053UVT-7
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMC2053UVT-7
- 商品编号
- C397937
- 商品封装
- TSOT-26
- 商品毛重
- 0.000033千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4.1pF,导通电阻(RDS(on)):43mΩ@2.5V,导通电阻(RDS(on)):74mΩ@3.5A,4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):0.4nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):5.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.1W,输入电容(Ciss):369pF,输入电容(Ciss):440pF@10V,连续漏极电流(Id):4.6A,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@2.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@3.5A,4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.4nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 369pF | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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