温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN66D0LDW-7
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN66D0LDW-7
- 商品编号
- C397947
- 商品封装
- SOT-363
- 商品毛重
- 0.00002千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):6Ω@5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250mW,输入电容(Ciss):23pF@25V,连续漏极电流(Id):115mA,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.186/个 |
| 100+ | ¥0.182/个 |
| 300+ | ¥0.18/个 |
| 1000+ | ¥0.177/个 |
| 1020+ | ¥0.177/个 |
| 1040+ | ¥0.177/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥0.16284
3000 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉42.48元
送
换料费券¥300
库存总量
1 PCS电话
顶部
元器件购物车