反向传输电容(Crss):168pF,导通电阻(RDS(on)):29mΩ@5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):16.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):1931pF,输出电容(Coss):226pF,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 168pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.7W | |
输入电容(Ciss) | 1931pF | |
输出电容(Coss) | 226pF | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.36/个 |
10+ | ¥1.85/个 |
30+ | ¥1.64/个 |
100+ | ¥1.37/个 |
500+ | ¥1.25/个 |
1000+ | ¥1.18/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0856
2500 PCS/盘
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