反向传输电容(Crss):67.7pF,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7nC,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):4.18W,输入电容(Ciss):674pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):10.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 67.7pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7nC | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 4.18W | |
输入电容(Ciss) | 674pF | |
输出电容(Coss) | 115pF | |
连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.524/个 |
50+ | ¥1.202/个 |
150+ | ¥1.0634/个 |
500+ | ¥0.891/个 |
2500+ | ¥0.782/个 |
5000+ | ¥0.736/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.71944
2500 PCS/盘
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