反向传输电容(Crss):168.6pF@25V,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):67.09nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):2365.4pF@25V,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 168.6pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 67.09nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 200W | |
输入电容(Ciss) | 2365.4pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 110A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.33/个 |
10+ | ¥2.66/个 |
50+ | ¥2.33/个 |
100+ | ¥2/个 |
500+ | ¥1.8/个 |
1000+ | ¥1.7/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.1436
50 PCS/盘
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