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FDN5618P
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDN5618P
- 商品编号
- C400792
- 商品封装
- SOT-23-3
- 商品毛重
- 0.000041千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):19pF,导通电阻(RDS(on)):0.23Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):8.6nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):430pF,输出电容(Coss):52pF,连续漏极电流(Id):1.25A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.23Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 输出电容(Coss) | 52pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.25A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
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|---|---|
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