反向传输电容(Crss):190pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):55nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):62.5W,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):2550pF,输出电容(Coss):280pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 2550pF | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.374/个 |
| 50+ | ¥1.881/个 |
| 150+ | ¥1.64/个 |
| 500+ | ¥1.426/个 |
| 2500+ | ¥1.2/个 |
| 5000+ | ¥1.165/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.104
2500 PCS/盘
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