反向传输电容(Crss):175pF@6V,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):14.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):880pF@6V,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 175pF@6V | |
导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 880pF@6V | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.266/个 |
100+ | ¥0.208/个 |
300+ | ¥0.179/个 |
3000+ | ¥0.158/个 |
6000+ | ¥0.14/个 |
9000+ | ¥0.132/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.14536
3000 PCS/盘
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