反向传输电容(Crss):2.36pF,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):10.34nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):33W,输入电容(Ciss):497.67pF,输出电容(Coss):56.43pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.36pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 10.34nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 33W | |
输入电容(Ciss) | 497.67pF | |
输出电容(Coss) | 56.43pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.368/个 |
50+ | ¥1.864/个 |
150+ | ¥1.649/个 |
500+ | ¥1.38/个 |
2000+ | ¥1.26/个 |
5000+ | ¥1.188/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.71488
50 PCS/盘
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