反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):1nC@10V,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.96W,输入电容(Ciss):20pF,输出电容(Coss):13pF,连续漏极电流(Id):0.51A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.96W | |
输入电容(Ciss) | 20pF | |
输出电容(Coss) | 13pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.51A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.792/个 |
50+ | ¥0.62/个 |
150+ | ¥0.533/个 |
500+ | ¥0.469/个 |
3000+ | ¥0.392/个 |
6000+ | ¥0.366/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.36064
3000 PCS/盘
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