反向传输电容(Crss):77pF,导通电阻(RDS(on)):0.026Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):110nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):2400pF,输出电容(Coss):340pF,连续漏极电流(Id):42A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 77pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.026Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 75V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 110W | |
输入电容(Ciss) | 2400pF | |
输出电容(Coss) | 340pF | |
连续漏极电流(Id) | 42A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.06/个 |
10+ | ¥3.96/个 |
30+ | ¥3.89/个 |
100+ | ¥3.83/个 |
102+ | ¥3.83/个 |
104+ | ¥3.83/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.651
2000 PCS/盘
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