反向传输电容(Crss):1.8pF,导通电阻(RDS(on)):360mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):32.6W,输入电容(Ciss):870pF@50V,连续漏极电流(Id):11.5A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 32.6W | |
输入电容(Ciss) | 870pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥6.21/个 |
10+ | ¥5/个 |
50+ | ¥4.4/个 |
100+ | ¥3.8/个 |
500+ | ¥3.44/个 |
1000+ | ¥3.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.048
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉17.6元