导通电阻(RDS(on)):50mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1250mW,输入电容(Ciss):650pF@10V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1250mW | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.253/个 |
| 100+ | ¥0.203/个 |
| 300+ | ¥0.179/个 |
| 3000+ | ¥0.144/个 |
| 6000+ | ¥0.129/个 |
| 9000+ | ¥0.122/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.144
3000 PCS/盘