反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):1.4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):300mW,输入电容(Ciss):50pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.172/个 |
200+ | ¥0.133/个 |
600+ | ¥0.112/个 |
3000+ | ¥0.0979/个 |
9000+ | ¥0.0868/个 |
21000+ | ¥0.0808/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09007
3000 PCS/盘
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