写周期时间(Tw):20ns,块擦除时间(tBE):3ms,存储容量:32Gbit,工作温度:0℃~+70℃,工作电压:2.7V~3.6V,接口类型:-,擦写寿命:3000次,数据保留 - TDR(年):-,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):1300us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 3ms | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 接口类型 | - | |
| 擦写寿命 | 3000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 1300us |