反向传输电容(Crss):26pF@40V,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):55nC@10V,漏源电压(Vdss):85V,耗散功率(Pd):174W,输入电容(Ciss):3086pF@40V,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 26pF@40V | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 85V | |
耗散功率(Pd) | 174W | |
输入电容(Ciss) | 3086pF@40V | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.134/个 |
50+ | ¥1.7/个 |
150+ | ¥1.501/个 |
500+ | ¥1.253/个 |
2000+ | ¥1.143/个 |
5000+ | ¥1.0763/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.564
50 PCS/盘
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