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STP4NK80Z
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STP4NK80Z
- 商品编号
- C411401
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.00278千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22.5nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):80W,输入电容(Ciss):575pF@25V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@50uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥11.24/个 |
| 10+ | ¥9.61/个 |
| 50+ | ¥8.58/个 |
| 100+ | ¥7.54/个 |
| 500+ | ¥7.06/个 |
| 1000+ | ¥6.86/个 |
| 2000+ | ¥6.78/个 |
| 4000+ | ¥6.72/个 |
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