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2N7002K
扩展库- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 厂家型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C414015
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000031千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):1.9Ω@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):300mW,输入电容(Ciss):21pF,输出电容(Coss):9pF,连续漏极电流(Id):300mA,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0838/个 |
| 500+ | ¥0.0687/个 |
| 3000+ | ¥0.0469/个 |
| 6000+ | ¥0.0419/个 |
| 24000+ | ¥0.0398/个 |
| 51000+ | ¥0.0385/个 |
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