反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@30V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):500pF@30V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@30V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0581/个 |
| 50+ | ¥0.818/个 |
| 150+ | ¥0.698/个 |
| 525+ | ¥0.608/个 |
| 2475+ | ¥0.536/个 |
| 5025+ | ¥0.5/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.75256
75 PCS/盘
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