工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),晶体管类型:PNP,特征频率(fT):200MHz,直流电流增益(hFE):100@150mA,10V,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):60V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V,集电极截止电流(Icbo):50nA,集电极电流(Ic):600mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 200MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@150mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
集电极电流(Ic) | 600mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.162/个 |
200+ | ¥0.124/个 |
600+ | ¥0.103/个 |
3000+ | ¥0.0906/个 |
9000+ | ¥0.0797/个 |
21000+ | ¥0.0739/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.08335
3000 PCS/盘
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