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HIGLD60R190D1
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HIGLD60R190D1
- 商品编号
- C41426365
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 商品毛重
- 0.000236千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):160mΩ,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@6V,工作温度:-,技术路线:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):-,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@6V | |
| 工作温度 | - | |
| 技术路线 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
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