反向传输电容(Crss):0.75pF@25V,反向传输电容(Crss):0.84pF@25V,导通电阻(RDS(on)):30Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,漏源电压(Vdss):350V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):32.58pF,输入电容(Ciss):43.39pF,连续漏极电流(Id):0.3A,连续漏极电流(Id):0.2A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 0.75pF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 0.84pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 350V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 32.58pF | |
输入电容(Ciss) | 43.39pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.3A | |
连续漏极电流(Id) | 0.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |