上升时间(tr):40ns,下降时间(tf):20ns,工作温度:-,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):1.4A,灌电流(IOL):1.8A,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 40ns | |
下降时间(tf) | 20ns | |
工作温度 | - | |
工作电压 | 10V~20V | |
拉电流(IOH) | 1.4A | |
灌电流(IOL) | 1.8A | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥14.48/个 |
10+ | ¥12.36/个 |
30+ | ¥11.03/个 |
100+ | ¥9.67/个 |
500+ | ¥9.05/个 |
1000+ | ¥8.79/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.0868
2500 PCS/盘
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