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FQD16N25CTM
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQD16N25CTM
- 商品编号
- C415866
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000476千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):89pF,导通电阻(RDS(on)):0.27Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):53.5nC@10V,漏源电压(Vdss):250V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):160W,输入电容(Ciss):1080pF,输出电容(Coss):220pF,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.27Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 输入电容(Ciss) | 1080pF | |
| 输出电容(Coss) | 220pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.33/个 |
| 10+ | ¥6.94/个 |
| 30+ | ¥6.17/个 |
| 100+ | ¥4.66/个 |
| 500+ | ¥4.28/个 |
| 1000+ | ¥4.1/个 |
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