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MMBT5179
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MMBT5179
- 商品编号
- C416012
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000031千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):2000MHz,直流电流增益(hFE):25@3.0mA,1.0V,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):12V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.4V@10mA,1.0mA,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):50mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | 2000MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 25@3.0mA,1.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.4V@10mA,1.0mA | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.251/个 |
| 100+ | ¥0.192/个 |
| 300+ | ¥0.153/个 |
| 3000+ | ¥0.144/个 |
| 6000+ | ¥0.137/个 |
| 9000+ | ¥0.133/个 |
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