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VBC6N2014
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBC6N2014
- 商品编号
- C416247
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000331千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.014Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.96W,连续漏极电流(Id):7.6A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.014Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.96W | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.849/个 |
| 50+ | ¥1.468/个 |
| 150+ | ¥1.304/个 |
| 500+ | ¥1.1/个 |
| 3000+ | ¥1.00921/个 |
| 6000+ | ¥0.955/个 |
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