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VBE1206
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBE1206
- 商品编号
- C416250
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000864千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):375pF,导通电阻(RDS(on)):0.0045Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):26nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):71W,输入电容(Ciss):3660pF,输出电容(Coss):730pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0045Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 输入电容(Ciss) | 3660pF | |
| 输出电容(Coss) | 730pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.998/个 |
| 10+ | ¥1.76/个 |
| 30+ | ¥1.658/个 |
| 100+ | ¥1.53/个 |
| 500+ | ¥1.309/个 |
| 1000+ | ¥1.275/个 |
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整盘单价¥1.275
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