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VBE2309
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBE2309
- 商品编号
- C416261
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.000626千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):715pF,导通电阻(RDS(on)):0.011Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):240nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):78W,输入电容(Ciss):4000pF,输出电容(Coss):1565pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 715pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.011Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 输入电容(Ciss) | 4000pF | |
| 输出电容(Coss) | 1565pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.287/个 |
| 10+ | ¥2.04/个 |
| 30+ | ¥1.913/个 |
| 100+ | ¥1.794/个 |
| 500+ | ¥1.573/个 |
| 1000+ | ¥1.53/个 |
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