温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
VBE2412
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBE2412
- 商品编号
- C416265
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000766千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):352pF,导通电阻(RDS(on)):0.012Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):3000pF,输出电容(Coss):508pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 352pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.012Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 输入电容(Ciss) | 3000pF | |
| 输出电容(Coss) | 508pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.028/个 |
| 10+ | ¥3.297/个 |
| 30+ | ¥2.936/个 |
| 100+ | ¥2.575/个 |
| 500+ | ¥2.071/个 |
| 1000+ | ¥1.957/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥1.876
2500 PCS/盘
省
嘉立创补贴4.14%
一盘能省掉202.5元
送
换料费券¥300
库存总量
74 PCS电话
顶部
元器件购物车