上升时间(tr):7.2ns,下降时间(tf):5.5ns,传播延迟 tpHL:19ns,传播延迟 tpLH:20ns,工作温度:-40℃~+150℃,工作电压:8V~17V,拉电流(IOH):3.7A,灌电流(IOL):4.5A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):1.9V,输入高电平(VIH):1.7V,静态电流(Iq):0.19mA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 7.2ns | |
| 下降时间(tf) | 5.5ns | |
| 传播延迟 tpHL | 19ns | |
| 传播延迟 tpLH | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 工作电压 | 8V~17V | |
| 拉电流(IOH) | 3.7A | |
| 灌电流(IOL) | 4.5A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 1.9V | |
| 输入高电平(VIH) | 1.7V | |
| 静态电流(Iq) | 0.19mA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥17.42/个 |
| 10+ | ¥16.99/个 |
| 30+ | ¥16.7/个 |
| 100+ | ¥16.42/个 |
| 102+ | ¥16.42/个 |
| 104+ | ¥16.42/个 |
整盘
单价
整盘单价¥15.816
3000 PCS/盘
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