写周期时间(Tw):25ns,块擦除时间(tBE):3.5ms,存储容量:1Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:50uA,接口类型:-,数据保留 - TDR(年):10年,页写入时间(Tpp):330us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 接口类型 | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 页写入时间(Tpp) | 330us |