反向传输电容(Crss):250pF,导通电阻(RDS(on)):17mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):136nC@10V,漏源电压(Vdss):75V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):5640pF,输出电容(Coss):520pF,连续漏极电流(Id):200A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 136nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 5640pF | |
| 输出电容(Coss) | 520pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.46/个 |
| 10+ | ¥3.55/个 |
| 50+ | ¥3.1/个 |
| 100+ | ¥2.65/个 |
| 500+ | ¥2.38/个 |
| 1000+ | ¥2.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.852
50 PCS/盘
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