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HIGLR60R260D1
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HIGLR60R260D1
- 商品编号
- C42389177
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.0003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):160mΩ,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@6V,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@6V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥16.191/个 |
| 10+ | ¥13.773/个 |
| 30+ | ¥12.248/个 |
| 100+ | ¥10.695/个 |
| 500+ | ¥9.998/个 |
| 1000+ | ¥9.691/个 |
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