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氮化镓场效应管
扩展库- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 厂家型号
- RC65D180E
- 商品编号
- C42427957
- 商品封装
- TO-252-2L
- 商品毛重
- 0.000386千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
栅极电荷量(Qg):7.4nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):89W,连续漏极电流(Id):14A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.66/个 |
| 10+ | ¥5.54/个 |
| 30+ | ¥4.92/个 |
| 100+ | ¥4.22/个 |
| 500+ | ¥3.91/个 |
| 1000+ | ¥3.77/个 |
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