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氮化镓场效应管
扩展库- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 厂家型号
- RC65D270C
- 商品编号
- C42427958
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.000121千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
栅极电荷量(Qg):8.7nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):56W,连续漏极电流(Id):9.3A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A |
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|---|---|
| 1+ | ¥2.66/个 |
| 10+ | ¥2.59/个 |
| 30+ | ¥2.55/个 |
| 100+ | ¥2.51/个 |
| 102+ | ¥2.51/个 |
| 104+ | ¥2.51/个 |
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