反向传输电容(Crss):60pF@10V,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,50A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):78nC@15V,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):4000pF@10V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 60pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,50A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 78nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 4000pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥19.18/个 |
10+ | ¥16.28/个 |
30+ | ¥14.46/个 |
90+ | ¥12.6/个 |
450+ | ¥11.76/个 |
900+ | ¥11.4/个 |
整盘
单价
整盘单价¥13.3032
30 PCS/盘
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