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BSH108,215
扩展库- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 厂家型号
- BSH108,215
- 商品编号
- C426798
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000035千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):120mΩ@10V,1A,工作温度:-65℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):830mW,输入电容(Ciss):190pF@10V,连续漏极电流(Id):1.9A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,1A | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.158/个 |
| 50+ | ¥0.907/个 |
| 150+ | ¥0.799/个 |
| 500+ | ¥0.665/个 |
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