反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):10Ω@5V,150mA,工作温度:-65℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):830mW,输入电容(Ciss):40pF@10V,连续漏极电流(Id):190mA,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V,150mA | |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 830mW | |
输入电容(Ciss) | 40pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 190mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.056/个 |
50+ | ¥0.824/个 |
150+ | ¥0.724/个 |
500+ | ¥0.6/个 |
3000+ | ¥0.545/个 |
6000+ | ¥0.512/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.5014
3000 PCS/盘
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