射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-65℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):220@1A,2V,耗散功率(Pd):540mW,集射极击穿电压(Vceo):20V,集射极饱和电压(VCE(sat)):310mV@3A,300mA,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):2A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 220@1A,2V | |
耗散功率(Pd) | 540mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 310mV@3A,300mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 2A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.918/个 |
50+ | ¥0.739/个 |
150+ | ¥0.65/个 |
500+ | ¥0.583/个 |
3000+ | ¥0.472/个 |
6000+ | ¥0.445/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.43424
3000 PCS/盘
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