反向传输电容(Crss):41pF@15V,导通电阻(RDS(on)):33mΩ@4.5V,8A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):21W,耗散功率(Pd):21W,输入电容(Ciss):448pF@15V,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 41pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V,8A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 21W | |
耗散功率(Pd) | 21W | |
输入电容(Ciss) | 448pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 25A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.0983/个 |
50+ | ¥1.72/个 |
150+ | ¥1.558/个 |
500+ | ¥1.356/个 |
2500+ | ¥1.129/个 |
5000+ | ¥1.0746/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.03868
2500 PCS/盘
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