反向传输电容(Crss):130pF@15V,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@4.5V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):1110pF@15V,输出电容(Coss):180pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 输入电容(Ciss) | 1110pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.943/个 |
| 50+ | ¥0.759/个 |
| 150+ | ¥0.668/个 |
| 500+ | ¥0.599/个 |
| 2500+ | ¥0.474/个 |
| 5000+ | ¥0.446/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.41032
5000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉178.4元