反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.61nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):32pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):1.8V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 7pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.61nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
输入电容(Ciss) | 32pF | |
输出电容(Coss) | 10pF | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.0935/个 |
500+ | ¥0.0745/个 |
3000+ | ¥0.0609/个 |
6000+ | ¥0.0546/个 |
24000+ | ¥0.0491/个 |
51000+ | ¥0.0461/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.05603
3000 PCS/盘
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