反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):635pF,输出电容(Coss):135pF,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 40pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.5W | |
输入电容(Ciss) | 635pF | |
输出电容(Coss) | 135pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.203/个 |
200+ | ¥0.166/个 |
600+ | ¥0.145/个 |
3000+ | ¥0.106/个 |
9000+ | ¥0.095/个 |
21000+ | ¥0.0892/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09752
3000 PCS/盘
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