写周期时间(Tw):20ns,块擦除时间(tBE):1.5ms,存储容量:16Gbit,工作温度:-,工作电压:2.7V~3.6V,接口类型:-,数据保留 - TDR(年):-,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):350us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 1.5ms | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作温度 | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 接口类型 | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 350us |