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IRF640STRRPBF
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- IRF640STRRPBF
- 商品编号
- C428750
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 商品毛重
- 0.002014千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):180mΩ@10V,11A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):70nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):3.1W,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):1300pF@25V,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,11A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 输入电容(Ciss) | 1300pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.66/个 |
| 10+ | ¥8.01/个 |
| 30+ | ¥7.11/个 |
| 100+ | ¥5.776/个 |
| 500+ | ¥5.339/个 |
| 800+ | ¥5.149/个 |
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