反向传输电容(Crss):15pF@30V,导通电阻(RDS(on)):200mΩ@4.5V,1A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.4nC@30V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):310pF@30V,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V,1A | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@30V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.423/个 |
| 100+ | ¥0.354/个 |
| 300+ | ¥0.318/个 |
| 3000+ | ¥0.211/个 |
| 6000+ | ¥0.201/个 |
| 9000+ | ¥0.194/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.19412
3000 PCS/盘
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