反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):78mΩ@2.5V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):245pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 245pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.683/个 |
50+ | ¥0.539/个 |
150+ | ¥0.467/个 |
500+ | ¥0.413/个 |
3000+ | ¥0.37/个 |
6000+ | ¥0.348/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.3404
3000 PCS/盘
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